PI无氧烘箱工艺流程

  PI光刻胶是一种高性能、高精度的光刻胶，被广泛应用于微电子、光电子、MEMS等领域

PI无氧烘箱工艺的必要性：

  PI光刻胶的预烘是将其涂覆在衬底上后，在特定温度下进行一段时间的烘千，使PI溶液中的溶剂挥发掉，PI形成一定的网状结构并增强其附着性。无氧烘箱用于半导体/电子/新材料/新能源等行业。BCB、PI、PBO胶固化，LCP新材料、锂电池等产品热处理。

PI无氧烘箱工艺流程要求（参考）：

1. 在低氧状态下使用

2. 真空加热，升温至1xx℃

3. 再温至1xx℃(约xh),保温约 30min;

4. 继续升温至x00℃，视涂层厚度不同加热10-x0min

5. 保温 约60min；

6. 降温至100℃以下
   

PI无氧烘箱性能：

温度：室温+50～400℃

氧浓度：≤10ppm 

真空度：1Torr

冷却装置：辅助降温

控制方式：可程式运行

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 PI光刻胶的制备一般采用溶解法或乳化法。溶解法是将PI粉末在氮气气氛下溶于甲醇或丙酮等有机溶剂中，加入一定的表面活性齐并在搅拌和加热条件下使其溶解成为PI溶液。乳化法是将PI颗粒悬浮于水相中，经过乳化剂的加入后与有机相反复振荡，使PI成为均匀的乳状体，最终得到PI乳液。