在集成芯片生产流程中，包括提纯、制备、光刻、封装。其中最关键的一环就是光刻。

  而光刻技术就是指集成电路制造中利用光学、化学反应原理及化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。一般的光刻工艺要经过硅片表面的清洗烘干、涂底（专用设备HMDS烤箱）、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、去除光刻胶等工序。

  在涂胶工艺中，所用到的光刻胶绝大多数是疏水的，而晶片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，如果在晶片表面直接涂胶的话，势必会造成光刻胶和晶片的粘合性较差，甚至造成局部的间隙或气泡，涂胶厚度和均匀性都受到了影响，从而影响了光刻效果和显影。