碳化硅HMDS烘箱，SiC衬底HMDS烤箱将HMDS气相沉积至半导体制造中氮化镓（GaN）和、碳化硅（SiC）、硅片、砷化镓等材料表面后，经系统加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用
碳化硅HMDS烘箱的背景
碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平成熟，应用广泛的宽禁带半导体材料之一，目前已经形成了全球的材料、器件和应用产业链。
碳化硅（SiC）是由硅（Si）和碳（C）组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、化学、机械方面都非常稳定。SiC存在各种多型体（多晶型体），它们的物理特性值各有不同。
碳化硅HMDS烘箱，SiC衬底HMDS烤箱的作用
HMDS烘箱将HMDS气相沉积至半导体制造中氮化镓（GaN）和、碳化硅（SiC）、硅片、砷化镓、铌酸锂、玻璃、蓝宝石、晶圆等材料表面后，经系统加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。
碳化硅HMDS烘箱，SiC衬底HMDS烤箱主要性能：
空间(mm)：300*300*300
450*450*450
600*600*600，可定制
适用产品：兼容1-12寸晶圆及碎片
温度范围：RT+10-250℃
温度稳定度：≤±0.5℃
真空度：≤133pa（1torr）
材质：316L不锈钢+冷轧板喷塑
HMDS系统：密闭设计，自动开启，数据可设定
液位计：低液位报警
储液瓶：HMDS储液量1000ml
真空泵：无油涡旋真空泵
运行时间：20Min
计量单位：S/Pa
运行方式：自动运行
进气：N2
排气：有机排放
电源：220V、50-60HZ
功率：2800W
